4 GHz to 8.5 GHz, Wideband I/Q Mixer

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4 GHz to 8.5 GHz, Wideband I/Q Mixer

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4 GHz to 8.5 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Mixer

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4 GHz to 8.5 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Mixer

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4 GHz to 8.5 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Mixer

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4 GHz to 8.5 GHz, Wideband I/Q Mixer

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Package：模具；包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：12-PAD BARE DIE [CHIP]

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4GHz至8.5 GHz宽带I/Q混频器

HMC525ACHIPS是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)同相/正交(I/Q)混频器，符合RoHS标准。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ACHIPS是混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ACHIPS无需线焊，可以使用表贴制造技术。 • 无源：不需要直流偏置\n\n• 转换损耗：最大 11 dB（下变频器）\n\n• 输入 IP3：最小 17 dB（下变频器）;

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GaAs MMIC I/Q混频器4 - 8.5 GHz

HMC525ALC4是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ALC4为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。 • 无源：无需直流偏置\n\n• 转换损耗：8 dB（典型值）\n\n• 输入IP3：20 dBm（典型值）\n\n• LO至RF隔离：47 dB（典型值）\n\n• IF频率范围：DC至3.5 GHz\n\n• 符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装;

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Package：24-CLCC 裸露焊盘；包装：管件 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：IC MMIC IQ MIXER 4-8.5GHZ 24-QFN

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