丝印：GC300N65；Package：TO-220F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GC300N65F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

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GOFORD

谷峰半导体

Single ratio (see schematic), thru-hole package

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MPSIND

美国芯源

Single ratio (see schematic), thru-hole package

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美国芯源

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美国芯源

Single ratio (see schematic), thru-hole package

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美国芯源

Single ratio (see schematic), thru-hole package

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美国芯源

非手机CIS产品 FHD-3M

GalaxyCore

格科微

Single ratio (see schematic), thru-hole package

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美国芯源

650V N Channel SUPER JUNCTION MOSFET

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谷峰半导体

包装：卷带（TR） 类别：晶体，振荡器，谐振器 晶体 描述：CRYSTAL 30.0000MHZ 8.5PF

PAM

龙鼎微