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PSM11N65CTF	文件：1.09316 Mbytes Page：10 Pages	11A650VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
SIHH11N65E	文件：199.25 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducedgatenoise •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH11N65E	文件：198.58 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH11N65EF	文件：200.94 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH11N65EF	文件：201.6 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •Completelylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducedgatenoise •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SVSP11N65D	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	11A,650VSUPERJUNCTIONMOSPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SW11N65D	文件：876.93 Kbytes Page：7 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220/TO-220F/TO-262MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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更多GC11N65T供应商更新时间2025-5-7 15:00:00

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