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IRGSL10B60KDPBF	文件：365.94 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10μsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Ru	IRF International Rectifier	IRF
MBR10B60CTH	文件：131.95 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-10Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
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SBL10B60CTH	文件：131.31 Kbytes Page：3 Pages	PowerSchottkyRectifier-10Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
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TCU10B60	文件：46.79 Kbytes Page：5 Pages	FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
TSU10B60	文件：105.78 Kbytes Page：1 Pages	FRED	NI National Instruments Inc.	NI
TSU10B60	文件：53.45 Kbytes Page：5 Pages	FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC

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