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GAN063-650WSA	文件：287.03 Kbytes Page：11 Pages	650V,50mΩGalliumNitride(GaN)FET 1.Generaldescription TheGAN063-650WSAisa650V,50mΩGalliumNitride(GaN)FET.Itisanormally-offdevicethat combinesNexperia’sstate-of-the-arthigh-voltageGaNHEMTandlow-voltagesiliconMOSFET technologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance. 2.Featuresandbenefit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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650V,50mΩGalliumNitride(GaN)FET

1.Generaldescription TheGAN063-650WSAisa650V,50mΩGalliumNitride(GaN)FET.Itisanormally-offdevicethat combinesNexperia’sstate-of-the-arthigh-voltageGaNHEMTandlow-voltagesiliconMOSFET technologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance. 2.Featuresandbenefit

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更多GAN063-650WSAQIC供应商更新时间2025-7-29 9:30:00

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