| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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55 |
23+ |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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IR继电器 |
58600 |
21+ |
现货热卖诚信经营 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IR模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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MMCDIP10 |
5000 |
22+ |
进口原装!现货库存 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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MMCDIP10 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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MMC模块 |
2820 |
2022+ |
只售进口原装公司现货! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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IRNA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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GEOYOUNGSMD |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
2000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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精量DIP |
57053 |
22+ |
只做原装假一罚万 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3260 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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HARDIP-16 |
6500 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRmodule |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IR模块 |
3562 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRMODULE |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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vishayNA |
116 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SHARP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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GA200TXP1SY资讯
GA200TS60U
GA200TS60U,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291
GA200TXP1SY中文资料Alldatasheet PDF
更多GA200制造商:Microsemi Corporation 功能描述:THYRISTOR SCR 60V 3PIN TO-18 - Bulk
GA200A制造商:Microsemi Corporation 功能描述:GA200A - Bulk
GA200HS60S制造商:International Rectifier
GA200HS60S1功能描述:IGBT 模块 200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
GA200HS60S1PBF制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 480A 600V INT-A-PAK
GA200NS61U制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:High Side Switch Chopper Module Ultra-Fast Speed IGBT
GA200SA60S功能描述:IGBT STD 600V 100A SOT227 RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
GA200SA60SP制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:GA200SA60SP Series 600 V 200 A Insulated Gate Bipolar Transistor - SOT-227 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 342A SOT227
GA200SA60SPBF制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT SOT-227 TUBE 10
GA200SA60U功能描述:IGBT UFAST 600V 100A SOT227 RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容(Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
