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HE9014	文件：43.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHE9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features •HighTotalPowerDissipation(PD:450mW) •ComplementarytoHE9015 •HighhFEandGoodLinearity	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HMBT9014	文件：50.44 Kbytes Page：5 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT9014isdesignedforuseinpre-amplifieroflowlevelandlownoise. Features •HighTotalPowerDissipation(PD:225mW) •ComplementarytoHMBT9015 •HighhFEandGoodLinearity	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HN9014	文件：369.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications????????? NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFamplifierapplications	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
IRFD9014	文件：177.51 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-1.1A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9014	文件：839.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9014	文件：858.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9014	文件：831.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9014PBF	文件：839.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9014PBF	文件：1.79963 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰POWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9014PBF	文件：858.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
G9014
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	G9014	GTM	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	G9015		23+24	TO220	28950	原装现货.优势热卖.终端BOM表可配单	询价
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更多G9014供应商更新时间2025-7-29 17:41:00

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