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G60N10T

丝印:G60N10;Package:TO-220;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G60N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:1.05189 Mbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

HM60N10D

Special designed for convertors and power controls

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更多G60N10T供应商 更新时间2025-10-5 11:06:00