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G18NP06Y数据手册GOFORD中文资料规格书

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厂商型号

G18NP06Y

功能描述

Trench Mosfet

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-11 17:19:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G18NP06Y

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Configuration

    :N+P channel

  • ESD

    :NO

  • VDS(min)

    :60V/-60V

  • Id at 25℃(max)

    :18A/-18A

  • PD(max)

    :45W/50W

  • Vgs(th)typ(V)

    :1.5V/-2.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V)

    :26mΩ/33mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V)

    :30mΩ

  • Qg(nC)

    :22/25

  • Ciss

    :1350/2610

  • Crss

    :51/111

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