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HGV135	文件：202.71 Kbytes Page：1 Pages	14GAUGESTEELGALVANIZED	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HGV135	文件：90.69 Kbytes Page：2 Pages	Systememodulaireaprofilesajoures	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HMC135	文件：122.95 Kbytes Page：4 Pages	GaAsMMICBI-PHASEMODULATOR,1.8-5.2GHz GeneralDescription TheHMC135Bi-PhaseModulatorisdesignedtophase-modulateanRFsignalintoreferenceand180degreestates.DeviceinputisattheRFportandoutputisattheLOport.Thepolarityofthebiascurrentatthecontrolport(IFport)defnesthephasestates.Excellentamplit	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC135	文件：452.11 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMICBI-PHASEMODULATOR,1.8-5.2GHz GeneralDescription TheHMC135Bi-PhaseModulatorisdesignedtophase-modulateanRFsignalintoreferenceand180degreestates.DeviceinputisattheRFportandoutputisattheLOport.Thepolarityofthebiascurrentatthecontrolport(IFport)defnesthephasestates.Excellentamplit	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC135	文件：451.96 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMICBI-PHASEMODULATOR,1.8-5.2GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC135	文件：1.09927 Mbytes Page：9 Pages	ChipIntegratesDirectlyintoMICDesigns GeneralDescription TheHMC135Bi-PhaseModulatorisdesignedtophase-modulateanRFsignalintoreferenceand180degreestates.DeviceinputisattheRFportandoutputisattheLOport.Thepolarityofthebiascurrentatthecontrolport(IFport)defnesthephasestates.Excellentamplit	MICROSS Micross Components	MICROSS
HSBD135	文件：124.16 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS MediumPowerLinearswitchingApplications	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HVC135	文件：25.27 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialTrenchPinDiodeforAntennaSwitching Features •Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.6pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=2.0Ωmax) •Lowoperationcurrent. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesignandstablerfcharacteristicsinhighfrequency.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC135	文件：32.619 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialTrenchPinDiode Features ●Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.6pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=2.0Ωmax) ●Lowoperationcurrent.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVD135	文件：80.87 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialTrenchPinDiodeforAntennaSwitching Features •Adoptingthetrenchstructureimproveslowcapacitance.(C=0.6pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=2.0Ωmax) •Lowoperationcurrent. •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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