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G030N06M中文资料谷峰半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

G030N06M

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

G030N06

封装外壳

TO-263

文件大小

991.91 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

GOFORD

中文名称

谷峰半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 15:58:00

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G030N06M规格书详情

描述 Description

The G030N06M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
19850
原装正品,假一赔十
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GSTEK
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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6500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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