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FZT853数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

FZT853

参数属性

FZT853 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 6A SOT223-3

功能描述

Transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

JGSEMI JG TEchology

中文名称

台湾金锆 台湾金锆半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    FZT853TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    340mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 6A SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-223
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