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FZT658中文资料PDF规格书

FZT658
厂商型号

FZT658

参数属性

FZT658 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

功能描述

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

文件大小

89.67 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES达尔科技

中文名称

达尔科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 19:37:00

FZT658规格书详情

Features

• BVCEO > 400V

• IC = 500mA High Continuous Current

• ICM = 1A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 250mV @ 50mA

• hFE > 40 Specified up to 200mA for High Current Gain Hold-Up

• Complementary PNP Type: FZT758

• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 产品编号:

    FZT658TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

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