| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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INFINEONIGBT模块 |
3000 |
2019+ |
十年品质,只做原装,假一罚十,公司可开增值税发票,欢迎采购! |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
650 |
26+ |
全新原装正品现货 |
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3年
留言
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INFINEONMODULE |
50000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
6800 |
26+ |
原装正品 深圳现货 |
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16年
留言
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Infineon(英飞凌)原厂原封装 |
28320 |
26+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
3000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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15年
留言
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Infineon(英飞凌)螺栓安装 |
12590 |
26+ |
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Infineon(英飞凌)IGBT管/模块FZ600R17KE4即刻询购立享优惠#长期有货 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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3年
留言
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Infineon(英飞凌)螺栓安装 |
8000 |
26+ |
原装正品 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-2 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-2 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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13年
留言
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INFINEONIGBT |
350 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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5年
留言
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INFINEONMODULE |
10000 |
23+ |
全新、原装 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-2 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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16年
留言
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EUPEC模块 |
12 |
23+ |
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10年
留言
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INFINEONIGBT |
9860 |
14+ |
大量原装进口现货,一手货源,一站式服务,可开17%增 |
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15年
留言
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INFINEONN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-2 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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1年
留言
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Infineon英飞凌标准封装 |
3088 |
26+ |
授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存 |
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FZ600R12KE4中文资料Alldatasheet PDF
更多FZ600R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 600A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R12KE3_B1制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode
FZ600R12KE3B1功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R12KE3S功能描述:IGBT 晶体管 1200V 600A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FZ600R12KE4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R12KF2功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
FZ600R12KP4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R12KS4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 700A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R17KE3功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.07KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R17KE3_S4制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 600A 1700V
