| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市世联芯科技有限公司10年
留言
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INFINEONMODULE |
3000 |
20+ |
原装进口,假一罚十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-2 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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模块 |
268 |
N/A |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT管 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
1130 |
23+ |
原厂授权,一级代理IGBT模块,可控硅模块 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPEC600A1200V |
77 |
07+特价模块 |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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英飞凌模块 |
200 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62mm-2 |
914 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
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INFINEON原装模块 |
368 |
20+ |
样品可出,原装现货 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
13800 |
22+ |
原装正品,品质保证,值得你信赖 |
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FZ600R12KE3图片
FZ600R12KE3价格
FZ600R12KE3价格：￥953.9491品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FZ600R12KE3多少钱，想知道FZ600R12KE3价格是多少？参考价：￥953.9491。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FZ600R12KE3批发价格及采购报价，FZ600R12KE3销售排行榜及行情走势，FZ600R12KE3报价。
FZ600R12KE3资讯
FZ600R12KE3
FZ600R12KE3
FZ600R12KE3中文资料Alldatasheet PDF
更多FZ600R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 600A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R12KE3_B1制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode
FZ600R12KE3B1功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ600R12KE3B1,C-SERIE制造商:Infineon Technologies AG
FZ600R12KE3S功能描述:IGBT 晶体管 1200V 600A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
