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FZ600R12KE3S	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R17KE3_S4	文件：633.41 Kbytes Page：9 Pages	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode Electrical Features • Low Switching Losses • Low VCEsat • Unbeatable Robustness • VCEsat with positive Temperature Coefficient Mechanical Features • 4 kV AC 1min Insulation • Package with CTI > 400 • High Creepage and Clearance Distances • Isolated Base Plate • Standard Housing 文件：633.41 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R12KE3	文件：1.59532 Mbytes Page：9 Pages	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode 文件：1.59532 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R12KE3_B1	文件：1.58378 Mbytes Page：9 Pages	62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode 文件：1.58378 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R12KE4	文件：1.65974 Mbytes Page：9 Pages	62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 文件：1.65974 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R12KP4	文件：1.65697 Mbytes Page：9 Pages	62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 文件：1.65697 Mbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R12KS4	文件：477.73 Kbytes Page：8 Pages	62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten 文件：477.73 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R12KS4	文件：274.61 Kbytes Page：8 Pages	62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching 文件：274.61 Kbytes 页数：8 Pages	eupec	eupec
FZ600R17KE3	文件：273.39 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-modules 文件：273.39 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FZ600R17KE4	文件：492.86 Kbytes Page：9 Pages	62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode 文件：492.86 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1700 V
Configuration：
Single switch
Technology：
IGBT3 - E3
IC(nom) / IF(nom)：
600 A
OPN：
FZ600R17KE3S4HOSA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
2 V
VF Tvj=25°C typ：
1.8 V
Qualification：
Industrial
Housing：
62 mm
Dimensions length：
106.4 mm
Dimensions width：
61.4 mm
Package name：
AG-62MM

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