| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
15年
留言
|
 |
Infineon(英飞凌)原装 |
12590 |
26+ |
|
Infineon(英飞凌)IGBT管/模块FZ1200R12HP4即刻询购立享优惠#长期有货 |
|
|
 |
INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
3年
留言
|
 |
Infineon(英飞凌)原装 |
8000 |
26+ |
原装正品 |
||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)A-IHV190-3 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
8年
留言
|
Infineon(英飞凌)A-IHV190-3 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
16年
留言
|
INFINEONT模块 |
2658 |
23+ |
||||
|
13年
留言
|
InfineonMODULE |
5500 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)A-IHV190-3 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
1年
留言
|
Infineon英飞凌标准封装 |
3088 |
26+ |
授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存 |
 |
||
|
10年
留言
|
infineon/英飞凌MODULE |
3000 |
24+ |
主营infineon/英飞凌原装百分百现货假一罚十 |
|||
|
18年
留言
|
EUPEC1200A3300V |
77 |
07+特价模块 |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
|||
|
INFINEONIGBT |
50000 |
26+ |
原装正品,现货,假一赔十,在途 |
||||
|
12年
留言
|
INFINEON原现MODULE |
25000 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
|
16年
留言
|
 |
INFINEONT模块 |
2865 |
23+ |
|||
|
13年
留言
|
 |
Infineon模块 |
800 |
25+ |
进口原装诚信经营 |
||
|
15年
留言
|
 |
Infineon(英飞凌)原装 |
12590 |
26+ |
|
Infineon(英飞凌)IGBT管/模块FZ1200R45KL3_B5即刻询购立享优惠#长期有货 |
|
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)AG-IHVB190-4 |
907 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
|
12年
留言
|
VINCO |
500 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
|||
|
 |
INFINEON英飞凌IGBT模块 |
600 |
26+ |
原厂原装正品，假一赔十，公司现货，可含税 |
FZ12采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
FZ12图片
FZ1200R12KF4价格
FZ1200R12KF4价格：￥5262.9337品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FZ1200R12KF4多少钱，想知道FZ1200R12KF4价格是多少？参考价：￥5262.9337。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FZ1200R12KF4批发价格及采购报价，FZ1200R12KF4销售排行榜及行情走势，FZ1200R12KF4报价。
FZ1200R12HE4资讯
FZ1200R12KF5
全新原装现货供应 0755-82538863 15820431872 QQ:1134344845
FZ1200R17KF6C_B2原装绝对有货
FZ1200R17KF6C_B2原装绝对有货
FZ1200R17KF6C_B2原装绝对有货
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.95KA
FZ1200R33KF2C 全新原装
FZ1200R33KF2C 深圳市赛尔通科技有限公司 全新原装现货供应 0755-82538863 15820431872 QQ:1134344845
FZ1200R12HP4 详细参数可供选型，深圳市富创微科技有限公司
FZ1200R12HP4 全新进口原装，深圳现货，下面是英飞凌详细技术参数，工程技术人员，采购人员可按参数列表造型： 深圳市富创微科技有限公司 朱先生 电话：0755-82552550 传真：0755-82552576 手机：013823587655
FZ1200R12KF4 FZ1200R12KL4C 大功率IGBT模块热卖
品牌：EUPEC/欧派克 型号：FZ1200R12KF4 类型：IGBT 批号：09+ 封装：塑料封 营销方式：现货 产品性质：热销 处理信号：数模混合信号 制作工艺：膜集成 导电类型：双极型 集成程度：大规模 工作温度：-40~+125（℃） 静态功耗：1（mW） 最
FZ1200R12HE4中文资料Alldatasheet PDF
更多FZ1200R12HP4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 1200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R12KE3功能描述:IGBT 晶体管 1200V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FZ1200R12KF1功能描述:IGBT Module
FZ1200R12KF4功能描述:IGBT 模块 1200V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R12KF5功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 1200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R12KL4C功能描述:IGBT 模块 1200V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R16KF1功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 1.2KA I(C)
FZ1200R16KF4功能描述:IGBT 模块 1600V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R16KF4S1功能描述:IGBT 模块 1600V 1200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FZ1200R17HE4功能描述:IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
