制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.6 V
在25 C的连续集电极电流: 1950 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 9.6 kW
封装 / 箱体: IHM130
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 140 mm
技术: Si
宽度: 130 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
