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FZ1200R17HP4	文件：499.55 Kbytes Page：9 Pages	IHM-B module with soft-switching Trench IGBT4	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FZ1200R17HP4_B2	文件：492.74 Kbytes Page：9 Pages	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FZ1200R17HP4B2BOSA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1700V 1200A 7800W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FZ1200R17HP4HOSA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1700V 1200A 7800W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
FZ1200R17HP4
功能描述：
IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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