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HER605	文件：54.07 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER VOLTAGERANGE50to800Volts CURRENT6.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Fastswitchingforhighefficency. ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
HER605	文件：50.19 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENT PRV:50-1000Volts Io:6.0Amperes FEATURES: Highsurgecurrentcapability Lowleakagecurrent Forwardvoltagedrop Lowpowerloss Highefficiency Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
HER605	文件：436.85 Kbytes Page：3 Pages	6.0AmpHighEfficientRectifiers50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
HER605	文件：133.34 Kbytes Page：2 Pages	HighEfficientRectifier ■Features ●Io6.0A ●VRRM50V-1000V ●Highsurgecurrentcapability ■Applications ●Rectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
HER605	文件：168.39 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER VOLTAGERANGE50to800Volts CURRENT6.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Fastswitchingforhighefficency. ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
HER605	文件：36.49 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPHIGHEFFICIENCYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50TO600Volts CURRENT6.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Highspeedswitching	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
HER605	文件：325.36 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT6.0AmperesVOLTAGE50to1000Volts Features ·PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ·Lowforwardvoltagedrop ·Highcurrentcapability ·Highreliability ·Lowpowerloss,higheffciency ·Highsurgecurrentcapability ·Highspeedswitching ·Lowleakage	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
HER605	文件：754.99 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPS.HIGHEFFICIENTRECTIFIERS VoltageRange50TOTO1000Volts Current6.0Amperes FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
HER605	文件：325.677 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
HER605	文件：309.92 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPHIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

详细参数

型号：
FXT605STOB
功能描述：
达林顿晶体管 -
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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