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GBU605	文件：180.62 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase6.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
GBU605	文件：82.82 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-6.0Amperes FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique ●TheplasticmaterialhasULflammabilityclassification94V-0 ●IncompliancewithEURoHS	CTC ctconline	CTC
GBU605	文件：534.42 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase6.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
GBU605	文件：193.65 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase6.0AMP.GlassPassivatedBridgeRectifiers Features ◇Idealforprintedcircuitboard ◇Reliablelowcostconstruction ◇PlasticmaterialhasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Highcasedielectricstrengthof1500VRMS ◇Surgeoverloadratingto175amperespeak ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
GBU605	文件：209.59 Kbytes Page：4 Pages	6A,50V-1000VGlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
GBU605	文件：176.14 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
GBU605	文件：209.21 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
GBU605	文件：64.43 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE6.0AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES Idealforprintedcircuitboard Lowforwardvoltage Polarity:markedonbody Mountingposition:Any *Lowleakagecurrent	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
GBU605	文件：204.39 Kbytes Page：2 Pages	BridgeRectifier	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GBU605-K	文件：183.17 Kbytes Page：4 Pages	6A,400V-1000VGlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
FXT605STOB
功能描述：
达林顿晶体管 -
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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