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IRF450	文件：19.01 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF450	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF450	文件：196.98 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF450	文件：48.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •13A,500V •RDS(on)=0.4Ω •SOAisPowerDissipationLimited •LinearTransferCharacteristics •RelatedLiterature APPLICATIONS •Designedforapplicationssuchasswitchingregulators, switchingconvertors,motordrivers,relaydriver,anddrivers forhighpowerbipola	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF450	文件：434.5 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,motorcontrol,circuitsUPSandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNellIRF450isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof14A,fastswitchingsp	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF450	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFC450	文件：47.75 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERMOSFETDIE	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFM450	文件：15.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM450	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySeale	IRF International Rectifier	IRF
IRFM450	文件：182.42 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
FXT450STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FXT451	ZETEX	23+	E-LINE	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
上海金庆电子技术有限公司	FXT-4545-000-K	PacTec	新		215	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	FXT-4545-000-K	PacTec	2022+		211	全新原装货期两周	询价
深圳市星佑电子有限公司	FXT458	ZTX	06+	原厂原装	2051	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	FXT458	ROHM	24+	SOT153	5000		询价
上海磐岳电子有限公司	FXT458	ZETEX	2023+	SOT-92	5800	进口原装,现货热卖	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	FXT458SMTA	ZXTEX	23+	SOT-92	5000	原装正品,假一罚十	询价
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