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MLD5117	文件：692.2 Kbytes Page：1 Pages	LIMITERDIODES	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
MMDT5117W	文件：219.4 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
NTE5117A	文件：31.71 Kbytes Page：3 Pages	NTE5111AthruNTE5166AZenerDiode,5Watt5Tolerance Features: ●ZenerVoltage:3.3Vto200V ●HighSurgeCurrentCapability	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5117PL	文件：146.49 Kbytes Page：6 Pages	??0V,16m,??1A,SingleP?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5117PL	文件：81.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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RF5117	文件：274.69 Kbytes Page：10 Pages	3V,1.8GHzTO2.8GHzLINEARPOWERAMPLIFIER ProductDescription TheRF5117isalinear,medium-power,high-efficiencyamplifierICdesignedspecificallyforbattery-poweredWLANapplicationssuchasPCcards,miniPCI,andcompactflashapplications.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransi	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF5117	文件：277.08 Kbytes Page：12 Pages	3V,1.8GHzTO2.8GHzLINEARPOWERAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
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