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MLD5117	文件：692.2 Kbytes Page：1 Pages	LIMITER DIODES	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
MMDT5117W	文件：219.4 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
NTE5117A	文件：31.71 Kbytes Page：3 Pages	NTE5111AthruNTE5166AZenerDiode,5Watt5Tolerance Features: ●ZenerVoltage:3.3Vto200V ●HighSurgeCurrentCapability	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5117PL	文件：146.49 Kbytes Page：6 Pages	??0V,16m,??1A,SingleP?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5117PL	文件：330.8 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5117PL	文件：81.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RF5117	文件：274.69 Kbytes Page：10 Pages	3V,1.8GHzTO2.8GHzLINEARPOWERAMPLIFIER ProductDescription TheRF5117isalinear,medium-power,high-efficiencyamplifierICdesignedspecificallyforbattery-poweredWLANapplicationssuchasPCcards,miniPCI,andcompactflashapplications.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransi	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF5117	文件：277.08 Kbytes Page：12 Pages	3V,1.8GHzTO2.8GHzLINEARPOWERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF5117	文件：374.65 Kbytes Page：12 Pages	3V,1.8GHzTO2.8GHzLINEARPOWERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF5117C	文件：374.72 Kbytes Page：12 Pages	3V,1.8GHzTO2.8GHzLINEARPOWERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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