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G200	文件：1.98202 Mbytes Page：3 Pages	SiliconZ?밆iodes FEATURES •Highreliability •Voltagerange10Vto270VFitsonto5mmSMDfootpads •Waveandreflowsolderable •Glasspassivatedjunction	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
G200	文件：133.1 Kbytes Page：7 Pages	AxialVitreousLeadedWirewoundResistors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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G200EI	文件：204.42 Kbytes Page：2 Pages	HighIsolation,2WLowCost,MiniDIPDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G200I	文件：77.97 Kbytes Page：2 Pages	CompactMiniDIP,2WHighIsolationDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G200RW	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	CompactMiniDIP,2WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
GA200	文件：140.15 Kbytes Page：3 Pages	SCRsNanosecondSwitching,Planar DESCRIPTION TheMicrosemiNanosecondThyristorSwitchcombinestheturn-onspeedoflogicleveltransistorswithhighcurrentswitchingcapabilityinSCRs. FEATURES ●RiseTime:10ns ●DelayTime:10ns ●RecoveryTime:0.5μS ●PulseCurrent:to100A ●Turn-onwith20ns,10mAGatePulse	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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GA200A	文件：173.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIERNANOSECONDSWITCHINGPLANAR	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
GA200A	文件：140.15 Kbytes Page：3 Pages	SCRsNanosecondSwitching,Planar DESCRIPTION TheMicrosemiNanosecondThyristorSwitchcombinestheturn-onspeedoflogicleveltransistorswithhighcurrentswitchingcapabilityinSCRs. FEATURES ●RiseTime:10ns ●DelayTime:10ns ●RecoveryTime:0.5μS ●PulseCurrent:to100A ●Turn-onwith20ns,10mAGatePulse	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GAP200DG-TL	文件：681.53 Kbytes Page：8 Pages	Zero1LossAutomaticXCapacitorDischargeIC ProductHighlights •OneparttocoverXcapacitorvaluesfrom100nFto6mF •BlockscurrentthroughXcapacitordischargeresistorswhenAC voltageisconnected •AutomaticallydischargesXcapacitorsthroughdischargeresistors whenACisdisconnected •SimplifiesEMIfilterdesign–lar	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
GB200	文件：256.579 Kbytes Page：2 Pages	AC-DCConverter	YUANDEANYuan Dean Scientific., Co, LTD. 元册元册科技股份有限公司	YUANDEAN
GB200	文件：140.15 Kbytes Page：3 Pages	SCRsNanosecondSwitching,Planar DESCRIPTION TheMicrosemiNanosecondThyristorSwitchcombinestheturn-onspeedoflogicleveltransistorswithhighcurrentswitchingcapabilityinSCRs. FEATURES ●RiseTime:10ns ●DelayTime:10ns ●RecoveryTime:0.5μS ●PulseCurrent:to100A ●Turn-onwith20ns,10mAGatePulse	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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产品属性

产品编号：
FT200XD-T
制造商：
FTDI, Future Technology Devices International Ltd
类别：
集成电路（IC） > 控制器
系列：
USBmadeEZ-FIFO, FT-X, X-Chip
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
协议：
USB
功能：
桥，USB 至 I²C
接口：
I²C
标准：
USB 2.0
电压 - 供电：
3.3V ~ 5V
电流 - 供电：
8mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
10-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-DFN（3x3）
描述：
IC USB FS I2C 10DFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FT200XD-T供应商更新时间2024-6-3 17:09:00

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