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HVC327CTRU	文件：52.24 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVHFtuner	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD327C	文件：55.31 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVHFtuner	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD327C	文件：52.74 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVHFtuner	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD327CKRU	文件：52.74 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVHFtuner	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU327C	文件：52.03 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVHFtuner	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HW327	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
HW327	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
INA327	文件：612.08 Kbytes Page：23 Pages	Precision,Rail-to-RailI/OINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA327	文件：1.07838 Mbytes Page：26 Pages	Precision,Rail-to-RailI/OINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
IP327	文件：485.46 Kbytes Page：1 Pages	1xMiniPCI-Eslot(mSATAcompatible)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ISCNH327P	文件：305.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J327	文件：159.04 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBTCurrentResonanceInverterSwitchingApplication CurrentResonanceInverterSwitchingApplication •Enhancementmodetype •Highspeed:tf=0.19µs(typ.)(IC=50A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.9V(typ.)(IC=50A) •FRDincludedbetweenemitterandcollector •FourthgenerationIGBT •TO-3P(N)(Toshibapackagename)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
J327	文件：232.15 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
J327	文件：192.52 Kbytes Page：6 Pages	Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? ○PowerManagementSwitchApplications •1.5-Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=242mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=170mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=125mΩ(max)(@VGS=-2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
J327	文件：347.1 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
JC327	文件：42.25 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplement:JC337. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.driverandoutputstagesofaudioamplifiers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
LF327RW	文件：221.86 Kbytes Page：2 Pages	WideInput,3WSMTSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
LI-JETSON-KIT-IMX327CS	文件：4.52482 Mbytes Page：15 Pages	NvidiaJetsonTX1/TX2DeveloperKit	LEOPARDLeopard 美洲豹蓄电池美洲豹电源科技有限公司	LEOPARD
LI-JETSON-KIT-IMX327CS-D	文件：4.52482 Mbytes Page：15 Pages	NvidiaJetsonTX1/TX2DeveloperKit	LEOPARDLeopard 美洲豹蓄电池美洲豹电源科技有限公司	LEOPARD
LI-JETSON-KIT-IMX327CS-H	文件：4.52482 Mbytes Page：15 Pages	NvidiaJetsonTX1/TX2DeveloperKit	LEOPARDLeopard 美洲豹蓄电池美洲豹电源科技有限公司	LEOPARD

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更多FSRLF327BULK供应商更新时间2024-6-3 16:35:00

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