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FSL130R	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL130R1	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL130R3	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSL130R4	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSLH-S130C	文件：49.66 Kbytes Page：4 Pages	2012Size1200/1400MHzChipMultilayerSplitter/Combiner	HITACHI-METALSHitachi Metals, Ltd 日立金属日立金属有限公司	HITACHI-METALS
FSS130D	文件：45.08 Kbytes Page：8 Pages	11A,100V,0.210Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS130R	文件：45.08 Kbytes Page：8 Pages	11A,100V,0.210Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FVDB-130B	文件：248.74 Kbytes Page：3 Pages	ThrrePhaseDoubleStageFilterforInvertersandPowerDrives	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
FVDB-130BHV	文件：248.74 Kbytes Page：3 Pages	ThrrePhaseDoubleStageFilterforInvertersandPowerDrives	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
FVDT-130BE	文件：314.86 Kbytes Page：3 Pages	ThreePhaseDoubleStage	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO

详细参数

型号：
FSL130R
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FSL130R供应商更新时间2025-5-23 15:34:00

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