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IRFF9230	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFY9230	文件：52.01 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9230	文件：154.76 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A) 200Volt,0.8Ω,RADHARDHEXFET InternationalRectifier’sP-ChannelRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas105Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestconditions,Internationa	IRF International Rectifier	IRF
IRH9230	文件：64.94 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：128.77 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：109.31 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9230	文件：141.58 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFET RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-39) 200V,P-CHANNEL InternationalRectifier’sRAD-HardHEXFETTMtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.These	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9230	文件：135.58 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
FRM9230R
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
4A, -200V, 1.30 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs

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