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FR014H5JZ数据手册电路保护的TVS-混合技术规格书PDF

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厂商型号

FR014H5JZ

参数属性

FR014H5JZ 封装/外壳为8-PowerWDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-混合技术;FR014H5JZ应用范围:反极性,过压保护;产品描述:HI SIDE REV BIAS PROTECT 30V MLP

功能描述

高压侧反向偏置/反向极性保护器,带集成式过电压瞬变抑制
HI SIDE REV BIAS PROTECT 30V MLP

封装外壳

8-PowerWDFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 21:04:00

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FR014H5JZ规格书详情

描述 Description

逆向偏压是日益频繁的故障事件,它可能由用户错误、电池的安装错误、车用环境、与第三方充电器的错误连接、负电压“热插拔”瞬变、电感瞬变以及随时可用的负偏压红色USB充电器产生。 通过飞兆电路保护,您完全可以生产出全新的逆向偏压保护器件。 FR器件是低电阻系列开关,它会在出现逆向偏压时,关闭电源,阻断负压,从而帮助您保护下游电路。 FR器件是为提供同类最佳的逆向偏压保护和电压处理能力的应用而优化的,同时它可最大限度地减小尺寸、串联压降和通用操作功耗。 在逆向偏压应用中,FR014H5JZ器件可以有效地提供完整电压模块,并可以轻松地保护-0.3V额定电压硅片。 从功率角度而言,在正常偏压中,1.5A应用中的14mΩ FR器件仅产生21mV的压降或32mW的功率损耗。 在逆向偏压中,FR器件在16V的逆向偏压情况下,其功耗不到20μW。 这种性能是二极管解决方案所无法实现的。 该器件所提供的优势不仅限于此。 由于该器件具有很低的功耗,因此其体积更紧凑,并且散热要求和成本也最低。

特性 Features

• 高达-30V反向偏压保护
• 纳秒级的反向偏压阻断响应时间
• +32V 24小时“耐受”率
• 14mΩ典型串联电阻(5V时)
• 集成TVS过压抑制
• MLP 3.3x3.3封装大小
• 符合RoHS标准
• 经USB测试并与其兼容

简介

FR014H5JZ属于电路保护的TVS-混合技术。由制造生产的FR014H5JZTVS - 混合技术混合技术 TVS(瞬态电压抑制器)产品族中的产品属于过压保护产品,其中结合了基于多种技术的保护机制,例如串联连接的 MOV(金属氧化物压敏电阻)和 GDT(气体放电管),旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FR014H5JZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Interface

    :General I/O

  • Number of Lines

    :1

  • Filter Type

    :High-Side Reverse Bias

  • R Typ (Ω)

    :3.6

  • C Typ (pF)

    :564

  • IR Max (µA)

    :10

  • V(BR) Typ (V)

    :30

  • VRWM Max (V)

    :3

  • Package Type

    :WDFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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