FR011L5J中文资料低压侧逆向偏置/逆向极性保护器数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
FR011L5J |
参数属性 | FR011L5J 封装/外壳为6-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-混合技术;FR011L5J应用范围:反极性,过压保护;产品描述:LOW SIDE REV BIAS PROTECT 6MLP |
功能描述 | 低压侧逆向偏置/逆向极性保护器 |
封装外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 11:11:00 |
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FR011L5J规格书详情
描述 Description
逆向偏压是日益频繁的故障事件,它可能由用户错误、电池的安装错误、车用环境、与第三方充电器的错误连接、负电压“热插拔”瞬变、电感瞬变以及随时可用的负偏压红色USB充电器产生。 通过飞兆电路保护,您完全可以生产出全新的逆向偏压保护器件。 FR器件是低电阻系列开关,它会在出现逆向偏压时,关闭电源,阻断负压,从而帮助您保护下游电路。 FR器件是为提供同类最佳的逆向偏压保护和电压处理能力的应用而优化的,同时它可最大限度地减小尺寸、串联压降和通用操作功耗。 在逆向偏压应用中,FR011L5J器件可以有效地提供完整电压模块,并可以轻松地保护-0.3V额定电压硅片。 从功率角度而言,在正常偏压中,1.5A应用中的11mΩ FR器件仅产生17mV的压降或25mW的功率损耗。 在逆向偏压中,FR器件在16V的逆向偏压情况下,其功耗不到20μW。 这种性能是二极管解决方案所无法实现的。 该器件所提供的优势不仅限于此。 由于该器件具有很低的功耗,因此其体积更紧凑,并且散热要求和成本也最低。
特性 Features
高达-30V反向偏压保护
纳秒级的反向偏压阻断响应时间
+29V的24小时“耐受”率
11mΩ典型串联电阻(5V时)
MicroFET™ 2x2mm封装尺寸
符合RoHS标准
经USB测试并与其兼容
简介
FR011L5J属于电路保护的TVS-混合技术。由制造生产的FR011L5JTVS - 混合技术混合技术 TVS(瞬态电压抑制器)产品族中的产品属于过压保护产品,其中结合了基于多种技术的保护机制,例如串联连接的 MOV(金属氧化物压敏电阻)和 GDT(气体放电管),旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。
技术参数
更多- 制造商编号
:FR011L5J
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: Low-Side Reverse Bias / Reverse Polarity Protector
- Interface
:General I/O
- Number of Lines
:1
- Filter Type
:Low-Side Reverse Bias
- R Typ (Ω)
:1.7
- C Typ (pF)
:81
- IR Max (µA)
:1
- V(BR) Typ (V)
:30
- VRWM Max (V)
:3.5
- Package Type
:WDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
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IR |
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IR |
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TO-252 |
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