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IXFP7N80P	文件：152.81 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ●InternationalStandardPackages ●Dynamicdv/dtRating ●AvalancheRated ●FastIntrinsicRectifier ●LowQG Applications ●DC-DCConverters ●BatteryChargers ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP7N80P	文件：146.22 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP7N80P	文件：260.55 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP7N80PM	文件：86.45 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS7N80C	文件：564.01 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Switchedmodepower suppliesy Electronicballast FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical11.3pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N80CH-O-C-N-B	文件：961.4 Kbytes Page：9 Pages	Electronicballast	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N80FH-O-F-N-B	文件：961.4 Kbytes Page：9 Pages	Electronicballast	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS7N80H	文件：961.4 Kbytes Page：9 Pages	Electronicballast	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JMP7N80A	文件：283.281 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KF7N80P	文件：403.07 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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详细参数

型号：
FQPF7N80
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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