FQPF2N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2 A，4.7 Ω，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF2N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•2A, 600V, RDS(on)= 4.7Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1A栅极电荷低（典型值：8.5nC)
•低 Crss（典型值4.3pF)
•100% 经过雪崩击穿测试\"
• 100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQPF2N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2
- PD Max (W)
：23
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4700
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.5
- Ciss Typ (pF)
：180
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3440 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
TO-220 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ON |
20+ |
SMD |
11520 |
特价全新原装公司现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220F |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
45 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220F(TO-220IS) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHIL |
25+ |
TO-220F |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
FAIRCHILD/仙童全新现货FQPF2N60C即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
10+ |
TO-220F |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
08 |
7000 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 |
