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HY1N60D	文件：162.7 Kbytes Page：4 Pages	600V/1.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY1N60M	文件：162.7 Kbytes Page：4 Pages	600V/1.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRFR1N60A	文件：227.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=7.0ohm,Id=1.4A) Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •PowerFactorCorrecti	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A	文件：181.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFR1N60A	文件：333.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=7Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1N60A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR1N60APBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
FQPF1N60T
功能描述：
MOSFET N-CH/600V/1A/QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	FQPF1N60T	Fairchild/ON	22+	TO2203	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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