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FQU1N60C	文件：330.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU1N60CTU	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET600V,1.0A,11.5廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK1N60	文件：222.6 Kbytes Page：7 Pages	1.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK1N60D	文件：321.98 Kbytes Page：7 Pages	1.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK1N60F	文件：321.98 Kbytes Page：7 Pages	1.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTK1N60L	文件：222.6 Kbytes Page：7 Pages	1.0Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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FTNCS1N60	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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详细参数

型号：
FQPF1N60T
功能描述：
MOSFET N-CH/600V/1A/QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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