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FQPF18N50V2	文件：839 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF18N50V2	文件：278.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.265Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF18N50V2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G18N50T	文件：1.01043 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description ThisadvancedMOSFETfamilyhasoptimizedon-state resistance,andalsoprovidessuperiorswitching performanceandhigheravalancheenergystrength.This devicefamilyissuitableforhighefficiencyswitchmode powersupplies. Application lSwitchModePowerSupply(SMPS) l	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HFH18N50S	文件：369.37 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP18N50U	文件：282.02 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS18N50U	文件：269.55 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HY18N50W	文件：299.99 Kbytes Page：4 Pages	500V/18AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRFB18N50K	文件：2.68732 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET 1.LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent 4.LowRDS(on) 5.Lead(Pb)-freeAvailable	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB18N50K	文件：165.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
FQPF18N50
功能描述：
MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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