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KSMF13N10	文件：1.88891 Mbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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KSMU13N10L	文件：1.18372 Mbytes Page：8 Pages	100VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NTB13N10	文件：305.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.165Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB13N10	文件：77.59 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET100V,13A,N?묬hannelEnhancement?묺odeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB13N10	文件：83 Kbytes Page：8 Pages	100V,13A,N?묬hannelEnhancement?묺odeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTP13N10G	文件：210.69 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET13A,100V,N?묬hannelEnhancement?묺odeTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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PJD13N10A	文件：374.19 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
FQPF13N10L
功能描述：
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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