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NTB13N10	文件：305.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.165Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：305.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTB13N10	文件：77.59 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：77.59 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB13N10	文件：83 Kbytes Page：8 Pages	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：83 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB13N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 100 V, 13 A, N−Channel Enhancement−Mode D2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB13N10T4G	文件：83 Kbytes Page：8 Pages	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：83 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB13N10
功能描述：
MOSFET 100V 13A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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