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NTB13N10	文件：305.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.165Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB13N10	文件：77.59 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB13N10	文件：83 Kbytes Page：8 Pages	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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PJD13N10A	文件：374.19 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
NTB13N10
功能描述：
MOSFET 100V 13A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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