FQP9N50C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP9N50C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。
特性 Features
•9 A、500 V、RDS(on) = 800 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.5 A
•低 Crss（典型值 24 pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
LED 电视 LCD 电视 EMS 配电 台式计算机 DC-DC商用电源 消费型设备 AC-DC商用电源-有线通信
技术参数
- 型号：
FQP9N50C
- 功能描述：
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-220 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
8960 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
65400 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
07+ |
TO-220 |
137 |
询价 | |||
onsemi |
21+ |
8000 |
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
