| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
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ONSEMIN/A |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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6年
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137FAIRCHILD/仙童 |
7 |
220 |
92 |
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16年
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FAIRCHILDTO-220 |
564800 |
23+ |
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7年
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ONSEMI/安森美 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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仙童NA |
6800 |
24+ |
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12年
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FAIRCHILDTO-220 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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5年
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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9年
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FAIRCHILD/仙童TO-220-3 |
3580 |
24+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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6年
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FSC原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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14年
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9620 |
26+ |
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13年
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FSCTO-220 |
6000 |
25+ |
绝对原装正品现货！！！13246658303 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
20300 |
25+ |
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FAIRCHILD/仙童原装特价FQP9P25即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
24794 |
19+ |
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7年
留言
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ONSEMIN/A |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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ONSEMIN/A |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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13年
留言
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FSCTO-220 |
6000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
20300 |
25+ |
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FAIRCHILD/仙童原装特价FQP90N10V2即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
45000 |
25+ |
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FAIRCHILD/仙童全新现货FQP9N50C即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
45000 |
25+ |
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FAIRCHILD/仙童全新现货FQP90N08即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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FQP9N30价格
FQP9N30价格：￥2.9470品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FQP9N30多少钱，想知道FQP9N30价格是多少？参考价：￥2.9470。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FQP9N30批发价格及采购报价，FQP9N30销售排行榜及行情走势，FQP9N30报价。
FQP90N08资讯
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本公司专门从事电子元器件销售,厂家代理.多年来凭着专业的知识,真诚的服务和良好的信益,为各生产厂家提供快捷优质的服务.本公司以讲信益 ,重质量为服务宗旨.深得广大客户的信赖和支持. 手机：13590120618 电话：0755-82539601庄先生 李小姐 Q Q:75992220
FQP90N08中文资料Alldatasheet PDF
更多FQP90N08功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP90N10V2功能描述:MOSFET 100V N-Channel Adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP95N03L功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP9N08功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP9N08L功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP9N15功能描述:MOSFET 150V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP9N25功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP9N25C功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP9N25C_Q功能描述:MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP9N25CTSTU功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:QFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
