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JCS7N80H	文件：961.4 Kbytes Page：9 Pages	Electronicballast	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JMP7N80A	文件：283.281 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KF7N80P	文件：403.07 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM7N80	文件：1.87991 Mbytes Page：6 Pages	800VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB7N80	文件：691.15 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF7N80	文件：664.71 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MS7N80	文件：991.88 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSB7N80	文件：1.01437 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF7N80	文件：883.48 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTW7N80E	文件：220.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET7.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=1.0OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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详细参数

型号：
FQP7N80C
功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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