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HFP5N80

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司

HFS5N80

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

KSM5N80

800VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMF5N80

800VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

NJ5N80

5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ5N80A-LI

5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ5N80-BL

5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ5N80D-LI

5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ5N80D-TR

5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

NJ5N80F-LI

5.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    FQP5N80_Q

  • 功能描述:

    MOSFET 800V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FQP5N80_Q供应商 更新时间2025-7-29 16:00:00