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FQPF5N80	文件：649.22 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK5N80D	文件：622.13 Kbytes Page：8 Pages	5.0Amps,800VoltsN-ChannelMOS-FET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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HFP5N80	文件：218.13 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology FEATURES ❐OriginativeNewDesign ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐UnrivalledGateCharge:30nC(Typ.) ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerRDS(ON):2.0Ω(Typ.)@VGS=10V ❐	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

详细参数

型号：
FQP5N80_Q
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP5N80_Q供应商更新时间2025-7-29 10:10:00

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