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HY5N50FT

500V/5AN-ChannelEnhancementModeMOSFET

HY

HY ELECTRONIC CORP.

HY5N50T

500V/5AN-ChannelEnhancementModeMOSFET

HY

HY ELECTRONIC CORP.

IRFIB5N50L

MOTORControlApplication

IRF

International Rectifier

IRFIB5N50L

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIB5N50LPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIB5N50LPBF

SMPSMOSFET

IRF

International Rectifier

IXFP5N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.65Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXFP5N50PM

PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTA5N50P

PolarHVPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTA5N50P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    FQP5N50C_Q

  • 功能描述:

    MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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NEC
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更多FQP5N50C_Q供应商 更新时间2025-7-29 16:01:00