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FQU5N50C	文件：330.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU5N50CTU-WS	文件：935.76 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelQFET®MOSFET500V,4.0A,1.4Ω Features •4.0A,500V,RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V •LowGateCharge(Typ.18nC) •LowCrss(Typ.15pF) •FastSwitching •100%AvalancheTested •Improveddv/dtCapability Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietary	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FTK5N50D	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N50DD	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N50F	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N50I	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK5N50P	文件：373.18 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HFD5N50S	文件：857.42 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFD5N50S	文件：1.32894 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HFD5N50U	文件：271.14 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

详细参数

型号：
FQP5N50C_Q
功能描述：
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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