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深圳市赛尔通科技有限公司

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FAIRCHILDTO-220

65400

23+

深圳市纳立科技有限公司

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ON-SEMIN/A

5000

22+

原装正品 香港现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ON/安森美TO-220

9850

2450+

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-220-3

18798

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220

31518

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原装正品 可含税交易

深圳市星宇佳科技有限公司

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68FAIRCHILD/仙童

8

220

92

深圳市亿智腾科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220-3

3580

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深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO220

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飞利飞科技有限公司

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FSCTO-220

25700

14+无铅

优势产品,博盛微热卖!!!

深圳市昌和盛利电子有限公司

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FQP2N60C

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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FQP2N90

FAIRCHILD/仙童TO-220

45000

25+

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FAIRCHILD/仙童全新现货FQP2N90即刻询购立享优惠#长期有排单订

深圳市纳立科技有限公司

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ON-SEMIN/A

5000

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原装正品 香港现货

深圳市金华微盛电子有限公司

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KERSEMITO-220

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深圳安居芯科技有限公司

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ONSEMI/安森美TO-220

6000

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深圳市亿智腾科技有限公司

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ONSEMIN/A

7500

25+

原装现货17377264928微信同号

深圳市勤思达科技有限公司

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FSCTO-220

5000

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全新原装正品,现货销售

深圳市华来深电子有限公司

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FAIRCHITO-220

8560

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深圳市华来深电子有限公司

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FSCSOIC

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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FSCTO-220

30000

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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ONTO-220

39500

24+

进口原装现货 支持实单价优

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FQP2N90价格

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生产厂家品牌为Fairchild的FQP2N90多少钱,想知道FQP2N90价格是多少?参考价:¥1.9855。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FQP2N90批发价格及采购报价,FQP2N90销售排行榜及行情走势,FQP2N90报价。

FQP2N60C资讯

FQP2N60

公司名称:深圳市华康联电子科技有限公司 公司网址:http://www.huakanglian.com 电 话:0755-82549426 传 真:0755-82951490 手 机:15919825718 Q Q:1834435116 联 系 人:朱小姐 地 址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋202

FQP2N60C中文资料Alldatasheet PDF

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FQP2N30功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N40功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N50功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N60功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N60C功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N60C_Q功能描述:MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N80功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N90功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2N90_Q功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FQP2NA90功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube