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MTP1N50E	文件：159.26 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=5.0OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PHP1N50E	文件：21.1 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP1N50E	文件：371.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX1N50E	文件：318.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX1N50E	文件：24.87 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionfoPHP1N50E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RM1N50	文件：200.41 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V6Wfullvoltagefilamentlampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亚成微陕西亚成微电子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：208.82 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V50Wfullvoltagefloodlightsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亚成微陕西亚成微电子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：214.26 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V10Wfullvoltagebulblampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亚成微陕西亚成微电子股份有限公司	REACTOR
SSI1N50B	文件：600.21 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP1N50A	文件：279.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FQN1N50C
功能描述：
MOSFET N-CH/400V/5 A/.75OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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