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FQI50N06L	文件：654.54 Kbytes Page：9 Pages	60V LOGIC N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：654.54 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI50N06TU	文件：1.86682 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 60 V, 50 A, 22 m廓 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.86682 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
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FQP50N06	文件：647.45 Kbytes Page：8 Pages	60V LOGIC N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：647.45 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FQI50N06L
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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