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MTP30N06VL	文件：1.31366 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP30N06VL	文件：208.58 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP30N06QDK	文件：616.87 Kbytes Page：9 Pages	60V??30A??DualN-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NTB30N06	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTB30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06L	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
FQI30N06L
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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