首页>FQD8P10TM_F085>规格书详情

FQD8P10TM_F085中文资料-100V,-6.6A,530mΩ,DPAK,P 沟道 QFET®数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FQD8P10TM_F085

功能描述

-100V,-6.6A,530mΩ,DPAK,P 沟道 QFET®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 20:00:00

人工找货

FQD8P10TM_F085价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FQD8P10TM_F085规格书详情

描述 Description

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性 Features

•6.6 A、-100 V、RDS(on) = 0.53O (VGS = -10 V)
•低栅极电荷(典型值12 nC)
•低Crss(典型值30pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 传动系

技术参数

  • 制造商编号

    :FQD8P10TM_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-100

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-6.6

  • PD Max (W)

    :44

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :530

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :360

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-2523L(DPAK)
22500
原装正品,假一罚十!
询价
ON/安森美
1816+
TO-252
1380
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
23+
NA
6800
原装正品,力挺实单
询价
台产
24+
TO-252
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
询价
Fairchild仙童
25+
DPAK-3
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
Fairchild/ON
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ON/安森美
22+
TO-252
14100
原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-2523L(DPAK)
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价