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MDP6N60	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP6N60TH	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MSF6N60	文件：1.2097 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB6N60	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB6N60	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB6N60E	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTH6N60	文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerFieldEffectTransistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：293.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FQD6N60CTF
功能描述：
MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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